收藏本站
Si7374DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 54 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?73560 .
www.vishay.com
6
Document Number: 73560
S-83039-Rev. B, 29-Dec-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7382DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SI7386DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
SI7388DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SI7390DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7403BDN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
SI7404DN-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8
SI7409ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8
SI7413DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8
相关代理商/技术参数
SI7380ADP-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel
SI7380ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7380ADP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7380DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7382DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7382DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7384DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI7384DP-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R